1. Poukisa am mayetik limite pèfòmans ignisyon
Tradisyonèl transfòmatè ignisyon frape yon miray nan 150mj pou chak batman kè . Poukisa?
Pèt Nwayo: Am ferit soufri 60% pi wo pèt eddy pi wo a 100kHz, gaspiye enèji kòm chalè
Risk saturation: Silisyòm asye nway pèdi 40% enduktans anba dc patipri, sa ki lakòz ark enstab
Penalite gwosè: Magnetic cores occupy >50% volim nan 30kV igniters
Solisyon an? Elimine nwayo a antyèman .
2. Gan + Synergy Coreless: zouti 220mj
Inovasyon estriktirèl
| Kouch | Materyo | Fonksyone |
|---|---|---|
| Izolasyon | Sio₂ nano-kouch | Withstands >30kv/mm, sispann arcing |
| Kondiktris | Cu Foil + Ag Sintering | Diminye efè po (↓ 40% enpedans) |
| Enkapsilasyon | Epoksidik + Bn filler | Thermal conductivity >5W/MK |
Kle teknoloji: SP-P mayetik sonorite pèmèt dirèk CAPACITOR-bobin enèji transfè
Avantaj entegrasyon gan
2MHz oblije chanje: Tan fòmasyon arc<50ns (vs. 200ns for silicon)
Zewo pèt QRR: Elimine ranvèse rekiperasyon distòsyon (batman kè deformation<2%)
Monolitik konsepsyon: Chofè + GaN HEMT + pwoteksyon nan yon pake (70% rediksyon gwosè)
3. Power Density Blueprint: Soti nan 150MJ 220MJ
Multi-etap konpresyon enèji
Eleman kritik:
Ceramic anpile kondansateur: ESR<1mΩ
dV/dt >150V/ns oblije chanje (E . G ., Ti LMG3522)
Tèmik-elektrik ko-konsepsyon
Doub-bò refwadisman: Top poto kwiv + anba substrate alsic (rezistans tèmik<0.5°C/W)
Batman kè modèl tèmik:
ΔT=Epulse sourifrepcthΔT=Cth epulse ⋅frep
Nan 220MJ/100Hz: ΔT<15°C with BN-epoxy encapsulation
4. Imobilye-mond enpak: Idwojèn Motè & brûler endistriyèl
| Metrik | Silisyòm nwayo | Gan san | Amelyorasyon |
|---|---|---|---|
| Enèji sèl-batman kè | 150mj | 220MJ | +46.7% |
| Volim | 120cm³ | 45cm³ | -62.5% |
| To siksè ignisyon (-40 degre) | 89% | 99.9% | ↑ 10.9 pts |
Ka endistriyèl: Brûler gaz natirèl lè l sèvi avèk modil coreless:
Emisyon CO ↓ 15% (konbisyon mèg)
Depans antretyen ↓ 40% (pa gen okenn nwayo aje)
5. Simonte defi pwodiksyon
| Defye | Solisyon | Rezilta |
|---|---|---|
| Wo-vòltaj arcing | Al₂o₃ depo vapè | Reziste 50kV |
| EMI nan 30MHz | Trip pwoteksyon: nano-kristal/cu may/metalize plastik | Bri ↓ 20dbμV |
| Sinterizasyon ki vid | Ag kole + Vacuum reflow | To anile<5% |